内置快速恢复二极管(FRD)的IGBT 您所在的位置:网站首页 frd -al00 内置快速恢复二极管(FRD)的IGBT

内置快速恢复二极管(FRD)的IGBT

2023-04-13 10:25| 来源: 网络整理| 查看: 265

2022.08.5 内置快速恢复二极管(FRD)的IGBT 什么是IGBT? 本文的关键要点

・针对将IGBT和FRD配套使用的逆变器或电机驱动等应用,有内置FRD的IGBT可用。 ・内置FRD需要具有高速trr特性以减少损耗,同时,低振铃和低噪声的软恢复特性对于EMC设计而言是非常重要的。

IGBT的产品阵容中包括内置快速恢复二极管(以下简称“FRD”)的产品类型。

内置快速恢复二极管(FRD)的IGBT

在使用IGBT的逆变器和电机驱动应用中,二极管也会被用作开关期间产生的反向电流的路径。这种二极管称为“续流二极管”,通常使用“FRD”。针对将IGBT和FRD配套使用的应用,有内置FRD的IGBT可用。

内置FRD的IGBT,其技术规格书中会标明内置FRD,通常,如下图所示,其引脚配置图中会显示FRD是内置的。另外,除了IGBT的规格之外,技术规格书中还会提供内置FRD的规格。

IGBT1-4_f4

由于不需要外接FRD,因此内置FRD的优点包括可减少元器件数量和安装面积,并提高可靠性。

内置于IGBT中的FRD的反向恢复特性和振铃

在逆变器和电机驱动应用中,续流二极管需要具备的重要特性之一是高速,即反向恢复时间trr短。正如“在电机应用中区分使用功率器件”中所述,开关时的开通损耗受反向恢复电流的影响很大,因此需要使用具有高速trr特性的FRD来降低损耗。也就是说,内置于IGBT中的FRD也需要具备高速trr特性。

另一个关键要点是内置FRD的振铃。对于FRD而言,trr速度快意味着反向恢复电流急剧收敛,所以会发生振铃(噪声),而这从EMC的角度看就成了问题。因此,要求FRD的反向恢复特性需要具有trr短且可柔和地收敛的特点。有这种考虑的产品称为“软恢复型”。

作为示例,下面给出了内置软恢复型FRD的RGS系列和RGT系列IGBT与内置普通FRD的IGBT之间的FRD反向恢复特性比较图。

IGBT1-4_f5

RGS系列和RGT系列的内置FRD,即使在di/dt=1000A/μs的高速开关条件下,尽管反向恢复电流的收敛速度很快也可以实现软恢复,即使在Tj=125℃的高温条件下,也没有发生振铃。而普通产品的情况下,可以看出发生了严重的振铃。

虽然内置FRD的IGBT用起来非常方便,但还是需要仔细确认其内置FRD的反向恢复特性,这是非常关键的要点,因为在处理高电压和大电流的系统中发生的振铃和浪涌很大,会对EMC造成较大影响。

【资料下载】

点击下载

“内置快速恢复二极管(FRD)的IGBT”相关文章一览 什么是IGBT? IGBT的应用范围 使用了IGBT的应用产品 IGBT的结构 IGBT的工作原理 IGBT的特点:与MOSFET和双极晶体管的比较 在电机应用中区分使用功率器件 IGBT的短路耐受时间(SCWT) ×Scan to share with WeChat IGBT模块, igbt噪声, Insulated Gate Bipolar Transistor, igbt振铃, IPM, rfd振铃, NPN, 逆变器igbt, N沟道, 软恢复frd, PNP, igbt应用, P沟道, MOSFET, Si MOSFET, 功率元器件, SiC模块, FRD, 智能功率模块, 快速恢复二极管, 功率元器件模块, trr, 绝缘栅双极晶体管, 反向恢复时间, 功率元器件的应用, IGBT, FRD内置型IGBT, 双极晶体管, 电机驱动igbt, SiC-MOSFET, igbt软恢复

LLC转换器的基本结构

在最后一刻停下来!用Arduino和距离传感器制作小鸡赛车!(第1篇)



【本文地址】

公司简介

联系我们

今日新闻

    推荐新闻

    专题文章
      CopyRight 2018-2019 实验室设备网 版权所有